中國(guó)科學(xué)院 [38]科教融合研究生教育 [5]該校是國(guó)家建設(shè)高校，京港大學(xué)聯(lián)盟成員，亦是20所經(jīng)國(guó)務(wù)院學(xué)位辦授權(quán)的學(xué)位自主審核單位之一。

d33測(cè)量范圍：

×1擋：  20 至6000pC/N

×0.1擋： 2 至400pC/N。

可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用

可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用
誤差：×1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在100到4000pC/N；

計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸：18mm*0.8mm，老化時(shí)間：2-3年（評(píng)判壓電測(cè)試儀準(zhǔn)確性能的重要依據(jù)之一）

提供壓電薄膜標(biāo)準(zhǔn)片：20*20MM

電壓保護(hù)：放電保護(hù)功能  

D31塊體，D31薄膜拉伸夾具，D15條狀?yuàn)A具，D15圓管夾具
±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在10到200pC/N；
×0.1擋：±2%±1個(gè)數(shù)字，(當(dāng)d33在10到200pC/N)
±5%±1個(gè)數(shù)字，當(dāng)d33在10到20pC/N。
分辨率：   ×1擋：1 pC/N；×0.1擋：0.1 pC/N。
尺寸：施力裝置：Φ110×140mm；儀器本體：240×200×80mm。

頻率：110HZ

施加力：0.2 N
重量：施力裝置：約4公斤；  
儀器本體：2公斤。
電源：220伏，50赫，20瓦。

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壓電陶瓷形狀的設(shè)計(jì)

雖然壓電陶瓷長(zhǎng)期以來(lái)一直以傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的形式使用，例如圓盤、平板、環(huán)和管，但制造方法的進(jìn)步使得具有復(fù)雜形狀以及電極和極化網(wǎng)絡(luò)的非傳統(tǒng)壓電陶瓷成為可能。

壓電元件的形狀會(huì)影響其振動(dòng)模式，進(jìn)而影響機(jī)電耦合因子的解析表達(dá)式，如下圖。長(zhǎng)寬比與標(biāo)準(zhǔn)要求不同的壓電元件將產(chǎn)生多種振動(dòng)模式的重疊響應(yīng)。這使得在表征材料參數(shù)時(shí)阻抗譜的解釋變得復(fù)雜，并且需要進(jìn)行額外的數(shù)據(jù)分析，尤其是當(dāng)這些元件用作設(shè)備中的傳感器時(shí)。

壓電元件的幾何形狀會(huì)顯著影響其耦合系數(shù)類型與大小。例如，相比板狀或柱狀結(jié)構(gòu)，薄圓盤在相同方向上的耦合系數(shù)較低。形狀由圓盤向柱或棒的轉(zhuǎn)變能夠增強(qiáng)縱向響應(yīng)。長(zhǎng)寬比的變化也會(huì)對(duì)測(cè)得的電荷系數(shù)（如 d??）產(chǎn)生影響。實(shí)驗(yàn)中測(cè)得的“有效"d??值可能與材料固有的d??不同。例如，Barzegar 等發(fā)現(xiàn) PZT 薄圓盤的 d??值普遍降低約 30%。Stewart 等進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，薄圓盤中的厚度效應(yīng)使得軟 PZT 的 d??值降低，而硬 PZT 的值則升高。

此外，形狀相關(guān)的另一個(gè)關(guān)鍵因素是曲率。彎曲結(jié)構(gòu)中，由 d?? 分量引起的位移在邊緣處更顯著，并且壓電正應(yīng)力所產(chǎn)生的彎矩在曲面結(jié)構(gòu)中明顯大于直線結(jié)構(gòu)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)了壓電響應(yīng)。

壓電陶瓷簡(jiǎn)介

壓電效應(yīng)是機(jī)械能和電能的耦合，壓電材料在眾多關(guān)鍵技術(shù)中發(fā)揮著重要作用。其正向壓電效應(yīng)廣泛應(yīng)用于各類傳感器、超聲設(shè)備和能量采集器中；而逆向壓電效應(yīng)則常用于高精度驅(qū)動(dòng)器及高功率超聲系統(tǒng)。目前，全球壓電陶瓷市場(chǎng)估值約為20億美元，主要由含鉛陶瓷（如PZT）主導(dǎo)。與單晶材料相比，陶瓷具有更高的可加工性，能夠較容易地制備成多種復(fù)雜形狀，因此成為壓電材料研究與應(yīng)用的核心方向。