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2025-7-11

阻抗分析儀在電子元器件檢測(cè)中具有廣泛的用途，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1.測(cè)量元器件的阻抗特性電阻（R）：測(cè)量電阻的阻值，分析其是否符合標(biāo)稱值。電感（L）：測(cè)量電感的感值，檢測(cè)電感的磁性能和頻率特性。電容（C）：測(cè)量電容的容值，分析其頻率響應(yīng)和損耗特性。阻抗（Z）：綜合測(cè)量元器件的阻抗（包括幅值和相位），全面評(píng)估其電氣性能。2.阻抗分析儀分析元器件的頻率特性頻率響應(yīng)：通過(guò)掃描不同頻率，分析元器件的阻抗隨頻率變化的特性，檢測(cè)其是否滿足設(shè)計(jì)要求。諧振點(diǎn)檢測(cè)：對(duì)于電感和電容，檢測(cè)其諧...

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中科院納米技術(shù)與能源研究所：突破常規(guī)尺寸的晶體管中科院納米技術(shù)與能源研究所：突破常規(guī)尺寸的晶體管歸功于電子工業(yè)的飛速發(fā)展，各種處理器芯片尺寸越來(lái)越小、功能越來(lái)越強(qiáng)、功耗越來(lái)越低，目前三星、臺(tái)積電等公司已經(jīng)開始布局7納米工藝芯片。但是，由于短溝道效應(yīng)、漏電場(chǎng)、電介質(zhì)的擊穿等問(wèn)題的限制，低于5納米的硅晶體管還是很難制備成功。為了突破5納米限制，科學(xué)家們探索研究了基于碳納米管、半導(dǎo)體納米線、二維過(guò)渡金屬化合物等材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，但是這些器件的工作仍然需要依賴外部柵極電壓的調(diào)控。如果這種情況不能繼續(xù)下去，這可能意味著摩爾定律的終... 查看詳情 2018-06-20
納米壓電定位系統(tǒng)用于圖像處理技術(shù) 納米壓電定位系統(tǒng)用于圖像處理技術(shù)圖像是人類獲取和交換信息的主要來(lái)源，因此，圖像處理的應(yīng)用領(lǐng)域必然涉及人類生活和工作的方方面面。包括航天和航空技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)工程、通信工程、工業(yè)和工程、軍事和、文化與藝術(shù)等方面。隨著人類活動(dòng)范圍的不斷擴(kuò)大，圖像處理的應(yīng)用領(lǐng)域也將隨之更加廣泛。查看詳情 2018-06-20
2017“十三五”規(guī)劃新材料技術(shù)發(fā)展——*能源與電子材料篇 2017“十三五”規(guī)劃新材料技術(shù)發(fā)展——*能源與電子材料篇前，國(guó)家科技部以“國(guó)科發(fā)高〔2017〕92號(hào)”文件印發(fā)《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》全文。以下是規(guī)劃提出的發(fā)展重點(diǎn)：發(fā)展重點(diǎn)“十三五”期間，材料領(lǐng)域?qū)@創(chuàng)新發(fā)展的指導(dǎo)思想和總體目標(biāo)，緊密結(jié)合經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)的重大需求，重點(diǎn)發(fā)展基礎(chǔ)材料技術(shù)提升與產(chǎn)業(yè)升級(jí)、戰(zhàn)略性*電子材料、材料基因工程關(guān)鍵技術(shù)與支撐平臺(tái)、納米材料與器件、*結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料、材料人才隊(duì)伍建設(shè)。（一）重點(diǎn)基礎(chǔ)材料技術(shù)提升與產(chǎn)... 查看詳情 2018-06-20
2018*陶瓷研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì) 2018*陶瓷研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)隨著現(xiàn)代高新技術(shù)的發(fā)展，*陶瓷已逐步成為新材料的重要組成部分，成為許多高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要關(guān)鍵材料，備受各工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家的極大關(guān)注，其發(fā)展在很大程度上也影響著其他工業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。由于*陶瓷特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)和其高強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、導(dǎo)電、絕緣、磁性、透光、半導(dǎo)體以及壓電、鐵電、聲光、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)良性能，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。*陶瓷的發(fā)展是國(guó)民經(jīng)濟(jì)新的增長(zhǎng)點(diǎn)，其研究... 查看詳情 2018-06-05
輪廓儀測(cè)量流程及輪廓儀測(cè)量時(shí)注意點(diǎn) 輪廓儀測(cè)量流程及輪廓儀測(cè)量時(shí)注意點(diǎn)輪廓儀測(cè)量流程：一、輪廓儀的點(diǎn)檢測(cè)量前必須用R79.5048mm標(biāo)準(zhǔn)球進(jìn)行校準(zhǔn)，且誤差值≤0.1μm時(shí)方可進(jìn)行測(cè)量；標(biāo)準(zhǔn)球標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)一個(gè)星期校準(zhǔn)一次。標(biāo)準(zhǔn)球表面應(yīng)光潔不應(yīng)有灰塵或劃痕,若臟了必須用真絲布進(jìn)行擦試后再進(jìn)行校準(zhǔn)。二、裝夾鏡片（前道為剪切鏡片）把被測(cè)量產(chǎn)品用雙面膠或橡皮泥固定在工作臺(tái)上，應(yīng)盡量放平并注意測(cè)量時(shí)不能移動(dòng)。注意：不經(jīng)過(guò)剪片口的為X方向；“十”交差，相對(duì)應(yīng)的為Y方向。三、指針接觸被測(cè)物品傳感器指針與測(cè)量產(chǎn)品接觸時(shí)應(yīng)采用自動(dòng)方式... 查看詳情 2018-05-29
詳述介電常數(shù)測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)過(guò)程和注意事項(xiàng) 詳述介電常數(shù)測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)過(guò)程和注意事項(xiàng)介電常數(shù)測(cè)試儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。為了幫助客戶更好的使用介電常數(shù)測(cè)試儀，今天我們來(lái)說(shuō)說(shuō)介電常數(shù)測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)步驟和注意事項(xiàng)。介電常數(shù)測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)步驟：1.介電常數(shù)測(cè)試儀使用前要檢查市電電壓是否合適，采... 查看詳情 2018-05-22

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